Marcel Aubin

		Marcel Aubin au laboratoire	Téléphone : 819-821-7054 Télécopieur : 819 821-8046 Adresse électronique: marcel.aubin@physique.usherb.ca Champs d'activités 1) Les supraconducteurs à haute Tc Problématique | Objectifs | Méthodologie | Réalisations | Collaborateurs | English Summary 2) Effets de la radiation sur les matériaux électroniques Problématique | Objectifs | Méthodologie | Réalisations | Collaborateurs | English Summary

a) Problématique :

Les nouveaux supraconducteurs à température critique élevée ont déjà créé beaucoup de remous dans le monde scientifique. Cependant l'attention n'est plus centrée sur la valeur maximale de Tc qu'on pourrait atteindre mais sur la densité de courant critique Jc en vue d'applications technologiques.

b) Objectifs:

Nous voulions obtenir des renseignements sur le facteur principal qui régit le courant critique, soit l'ancrage des lignes de flux.

c) Méthodologie :

Un des matériaux choisis pour cette étude est le YBa₂Cu₃O_7-x. Des mesures de l'effet Seebeck, de l'effet Nernst et de Jc sont effectuées sur des monocristaux afin d'obtenir les renseignements voulus. L'autre matériau est un ruban composé de Bi₂Sr₂Ca₂Cu₃O₁₀ dans de l'Ag dont on mesure les pertes en c.a.

d) Réalisations :

Pour l'étude des monocristaux, nous avons mis au point une technique oscillatoire très sensible pour mesurer l'effet Seebeck et l'effet Nernst en fonction du champ magnétique. Ces mesures permettent d'observer et d'analyser la variation de la force d'ancrage des lignes de flux selon la température et le champ magnétique.

L'étude des rubans de Bi₂Sr₂Ca₂Cu₃O₁₀ implique les pertes en c.a. dans ce supraconducteur. Des mesures préliminaires en fonction de l'intensité du courant et de la fréquence donnent des résultats prévisibles (voir la figure ci-dessous). Notre technique est calorimétrique contrairement aux autres dont les résultats sont obtenus indirectement.

e) Collaborateurs :

P. Dolez (étudiante au 3e cycle)
H. Ghamlouch (étudiant au 3e cycle)
J. Cave (Hydro-Québec)
M.A.R. LeBlanc (Université d'Ottawa)
L. Taillefer (Université McGill)
R. Gagnon (Université McGill)
P. Fournier (Université Stanford)
M. Oussena (Université Southampton)

f) Summary :

Superconducting YBa₂Cu₃O_7-x single crystals are being studied by the Seebeck effect and the Nernst effect to observe and analyse the pinning force as a function of temperature and magnetic field. AC losses are measured in Bi₂Sr₂Ca₂Cu₃O₁₀ superconducting tapes in anticipation of engineering applications.

a) Problématique :

Les semiconducteurs utilisés en électronique et en optoélectronique contiennent des défauts issus de la croissance cristalline. D'autres défauts s'ajoutent ou se combinent à ceux-ci lors de l'irradiation par des protons, des électrons et des neutrons, diminuant leur performance dans des applications spatiales, par exemple.

b) Objectifs :

Nous voulions comprendre ces phénomènes afin d'aider à minimiser les effets néfastes de la radiation sur la performance de dispositifs électroniques et optoélectroniques.

c) Méthodologie :

L'étude consiste en la mesure des phénomènes de transport avant et après irradiation afin d'analyser les effets de celle-ci.

d) Réalisations :

Nous avons commencé par une étude du GaAs épitaxié. L'effet Hall et la résistivité ont été mesurés en fonction de la température pour des échantillons de concentrations électroniques différentes. Ceux-ci ont ensuite été irradiés par des électrons de 7 MeV à différentes doses. Finalement, les mesures de transport ont été reprises. Quoique les doses moyennes et élevées de radiation ont abaissé la densité de porteurs et la mobilité tel qu'attendu, les faibles doses ont fourni quelques surprises. En effet, celles-ci semblent créer un effet de recuit en améliorant la qualité de l'échantillon. La densité de porteurs ainsi que leur mobilité augmentent. Ceci est dû à une baisse du nombre de pièges d'électrons et de la compensation.

e) Collaborateurs :

C. Carlone (professeur)
C. Aktik (professeur en génie électrique)
S. Khanna (chercheur au Min. de la défense)

f) Summary :

Transport measurements on epitaxial GaAs were performed as a function of temperature before and after irradiation with 7 MeV electrons in a study of radiation effects on electronic materials. Low doses are shown to produce an annealing effect with both the electron concentration and the mobility increasing at low temperatures.

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Denière mise à jour, 13 janvier 1997
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