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Champs d'activités
- 1) Les effets de la radiation sur les semiconducteurs
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Malgré la haute pureté des cristaux présentement disponibles, il reste encore des défauts résiduels, typiquement de l'ordre de 1014 cm-3 dans les cristaux de l'arséniure de gallium. Nous utilisons l'irradiation pour augmenter la densité de défauts pour mieux comprendre leur origine.
Identifier les défauts résiduels et déterminer leur influence sur la mobilité, le temps de vie des porteurs, etc.
Des techniques très sensibles, exemple : l'absorption, la photoluminescence et la photoconductivité sont utilisées pour étudier les dommages. Des sources industrielles et universitaires sont utilisées pour l'irradiation des semiconducteurs.
Nous avons identifié la lacune de gallium dans le semiconducteur GaAs. Son effet sur la recombinaison électron-trou et sur la mobilité électronique a été déterminé. Nous avons comparé le rôle de ce défaut dans les cristaux synthétisés par déposition de vapeur chimique (MOCVD) et par jet moléculaire (MBE).
M. Aubin (professeur)
S.M. Khanna (Ministère de la défense)
A. Jorio (étudiant 3e cycle)
M. Parenteau (adjoint de recherche)
N.L. Rowell (CNRC)
We are studying radiation effects in semiconductors. The purpose
of this work is to understand the nature of deep levels.
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Denière mise à jour, 13 janvier 1997
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