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C
C. Lobo, Perret, N., Morris, D., Zou, J., Cockayne, D. J. H., Johnston, M. B., Gal, M., et Leon, R., « Carrier capture and relaxation in Stranski-Krastanow InxGa1-xAs/GaAs(311)B quantum dots », Physical Review B, vol. 62, p. 2737-2742, 2000.
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M. H. H. Alouane, Helali, A., Morris, D., Maaref, H., Aimez, V., Salem, B., Gendry, M., et Ilahi, B., « Carriers' localization and thermal redistribution in post growth voluntarily tuned quantum dashes' size/composition distribution », Journal of Luminescence, vol. 145, p. 595-599, 2014.
D. Roy-Guay, Pioro-Ladrière, M., Morris, D., Tallaire, A., Achard, J., et Drouin, D., « Cathodoluminescence and photoluminescence of NV centers », International Journal of Nanoscience, vol. 11, 2012.
J. Zribi, Ilahi, B., Morris, D., Aimez, V., et Arès, R., « Chemical beam epitaxy growth and optimization of InAs/GaAs quantum dot multilayers », Journal of Crystal Growth, vol. 384, p. 21-26, 2013.
N. Perret, Morris, D., Franchomme-Fossé, L., et Fafard, S., « Controlling the optical transition linewidth of a self-assembled quantum dot ensemble », in Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest, 2000, p. 314.
A. Fekecs, Chicoine, M., Ilahi, B., SpringThorpe, A. J., Schiettekatte, F., Morris, D., Charette, P. G., et Arès, R., « Critical process temperatures for resistive InGaAsP/InP heterostructures heavily implanted by Fe or Ga ions », Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, vol. 359, p. 99-106, 2015.

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