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H
B. Salem, Morris, D., Aimez, V., Beerens, J., Beauvais, J., et Houde, D., « High performance terahertz source using ion implanted photoconductive antenna », in Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, 2005, vol. 5727, p. 193-198.
I
M. H. Hadj Alouane, Ilahi, B., Maaref, H., Salem, B., Aimez, V., Morris, D., Turala, A., Regreny, P., et Gendry, M., « Impact of ion-implantation-induced band gap engineering on the temperature-dependent photoluminescence properties of InAs/InP quantum dashes », Journal of Applied Physics, vol. 108, 2010.
B. Salem, Morris, D., Aimez, V., Beauvais, J., et Houde, D., « Improved characteristics of a terahertz set-up built with an emitter and a detector made on proton-bombarded GaAs photoconductive materials », Semiconductor Science and Technology, vol. 21, p. 283-286, 2006.
E. Dupuy, Xu, G., Regreny, P., Robach, Y., Gendry, M., Chauvin, N., Bru-Chevallier, C., Patriarche, G., Morris, D., Pauc, N., Aimez, V., et Drouin, D., « Influence of surface reconstructions on the shape of InAs quantum dots grown on InP(OOI) », in Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2008.
Z. Zaâboub, Ilahi, B., Sfaxi, L., Maaref, H., Salem, B., Aimez, V., et Morris, D., « Inhomogeneous broadening and alloy intermixing in low proton dose implanted InAs/GaAs self-assembled quantum dots », Nanotechnology, vol. 19, 2008.
B. Ilahi, Zaâboub, Z., Salem, B., Morris, D., Aimez, V., Sfaxi, L., et Maaref, H., « Intermixing of InAs/GaAs quantum dots by proton implantation and rapid thermal annealing », Materials Science in Semiconductor Processing, vol. 12, p. 71-74, 2009.
D. Barba, Salem, B., Morris, D., Aimez, V., Beauvais, J., Chicoine, M., et Schiettekatte, F., « Ion channeling effects on quantum well intermixing in phosphorus-implanted InGaAsP/InGaAs/InP », Journal of Applied Physics, vol. 98, p. 1-5, 2005.
M
S. Ménard, Beerens, J., Morris, D., Aimez, V., Beauvais, J., et Fafard, S., « Magneto-photoluminescence study of intermixed self-assembled InAs/GaAs quantum dots », Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, vol. 20, p. 1501-1507, 2002.