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Z. Zaâboub, Ilahi, B., Sfaxi, L., Maaref, H., Salem, B., Aimez, V., et Morris, D., « Optical investigation of phosphorous-ion-implantation induced InAs/GaAs quantum dots’ intermixing », Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics, vol. 372, p. 4714-4717, 2008.
Z. Zaâboub, Ilahi, B., Sfaxi, L., Maaref, H., Salem, B., Aimez, V., et Morris, D., « Inhomogeneous broadening and alloy intermixing in low proton dose implanted InAs/GaAs self-assembled quantum dots », Nanotechnology, vol. 19, 2008.
Z. Zaâboub, Ilahi, B., Salem, B., Aimez, V., Morris, D., Sfaxi, L., et Maaref, H., « Persistence of In/Ga intermixing beyond the emission energy blueshift saturation of proton-implanted InAs/GaAs quantum dots », Journal of Applied Physics, vol. 107, 2010.
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A. A. Zhukov, De Groot, P. A. J., Kokkaliaris, S., Di Nicolo, E., Jansen, A. G. M., Mossang, E., Martinez, G., Wyder, P., Wolf, T., Küpfer, H., Asaoka, H., Gagnon, R., et Taillefer, L., « History effects and phase diagram near the lower critical point in YBa2Cu3O7 single crystals », Physical Review Letters, vol. 87, p. 017006/1-017006/4, 2001.
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J. Zribi, Ilahi, B., Paquette, B., Jaouad, A., Thériault, O., Hinzer, K., Cheriton, R., Patriarche, G., Fafard, S., Aimez, V., Arès, R., et Morris, D., « Effect of Dot-Height Truncation on the Device Performance of Multilayer InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells », IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 6, 2016.
J. Zribi, Morris, D., Ilahi, B., Aldhubaib, A., Aimez, V., et Arès, R., « In-situ height engineering of InGaAs/GaAs quantum dots by chemical beam epitaxy », Journal of Nanophotonics, vol. 10, 2016.
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