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Z
J. Zribi, Ilahi, B., Morris, D., Aimez, V., et Arès, R., « Chemical beam epitaxy growth and optimization of InAs/GaAs quantum dot multilayers », Journal of Crystal Growth, vol. 384, p. 21-26, 2013.
J. Zribi, Morris, D., et Arès, R., « Formation and morphological evolution of InAs quantum dots grown by chemical beam epitaxy », Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, vol. 30, 2012.
J. Zribi, Ilahi, B., Paquette, B., Jaouad, A., Thériault, O., Hinzer, K., Cheriton, R., Patriarche, G., Fafard, S., Aimez, V., Arès, R., et Morris, D., « Effect of Dot-Height Truncation on the Device Performance of Multilayer InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells », IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 6, 2016.
J. Zribi, Morris, D., Ilahi, B., Aldhubaib, A., Aimez, V., et Arès, R., « In-situ height engineering of InGaAs/GaAs quantum dots by chemical beam epitaxy », Journal of Nanophotonics, vol. 10, 2016.
S. Ziemak, Kirshenbaum, K., Saha, S. R., Hu, R., Reid, J. - P., Gordon, R., Taillefer, L., Evtushinsky, D., Thirupathaiah, S., Büchner, B., Borisenko, S. V., Ignatov, A., Kolchmeyer, D., Blumberg, G., et Paglione, J., « Isotropic multi-gap superconductivity in BaFe1.9Pt0.1As2 from thermal transport and spectroscopic measurements », Superconductor Science and Technology, vol. 28, 2015.
A. A. Zhukov, De Groot, P. A. J., Kokkaliaris, S., Di Nicolo, E., Jansen, A. G. M., Mossang, E., Martinez, G., Wyder, P., Wolf, T., Küpfer, H., Asaoka, H., Gagnon, R., et Taillefer, L., « History effects and phase diagram near the lower critical point in YBa2Cu3O7 single crystals », Physical Review Letters, vol. 87, p. 017006/1-017006/4, 2001.
A. A. Zhukov, Kokkaliaris, S., De Groot, P. A. J., Jansen, A. G. M., Mossang, E., Asaoka, H., Wolf, T., Gagnon, R., et Taillefer, L., « Transformations of the peak-effect near the multicritical point in YBa2Cu3Oy single crystals », Physica C: Superconductivity and its Applications, vol. 341-348, p. 1027-1030, 2000.
A. A. Zhukov, Kokkaliaris, S., De Groot, P. A. J., Higgins, M. J., Bhattacharya, S., Gagnon, R., et Taillefer, L., « Negative dynamic creep in the peak-effect regime in type-II superconductors », Physical Review B, vol. 61, p. R886-R889, 2000.
Y. G. Zhao, Srivastava, R. C., Fournier, P., Smolyaninova, V., Rajeswari, M., Wu, T., Li, Z. Y., Greene, R. L., et Venkatesan, T., « Transport and magnetic properties of La0.8Ce0.2MnO3 thin films grown by pulsed laser deposition », Journal of Magnetism and Magnetic Materials, vol. 220, p. 161 - 166, 2000.
Y. Zhang, Ong, N. P., Xu, Z. A., Krishana, K., Gagnon, R., et Taillefer, L., « Determining the Wiedemann-Franz Ratio from the Thermal Hall Conductivity: Application to Cu and YBa2Cu3O6.95 », Physical Review Letters, vol. 84, p. 2219-2222, 2000.
Z. Zaâboub, Ilahi, B., Salem, B., Aimez, V., Morris, D., Sfaxi, L., et Maaref, H., « Persistence of In/Ga intermixing beyond the emission energy blueshift saturation of proton-implanted InAs/GaAs quantum dots », Journal of Applied Physics, vol. 107, 2010.
Z. Zaâboub, Ilahi, B., Sfaxi, L., Maaref, H., Salem, B., Aimez, V., et Morris, D., « Inhomogeneous broadening and alloy intermixing in low proton dose implanted InAs/GaAs self-assembled quantum dots », Nanotechnology, vol. 19, 2008.
Z. Zaâboub, Ilahi, B., Sfaxi, L., Maaref, H., Salem, B., Aimez, V., et Morris, D., « Optical investigation of phosphorous-ion-implantation induced InAs/GaAs quantum dots’ intermixing », Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics, vol. 372, p. 4714-4717, 2008.