Nicolas Chauvin

Affiliation: 
École centrale, Lyon
date: 
2015-02-11
sujet: 
Institut des Nanotechnologies de Lyon
résumé: 

Les nanofils de semiconducteurs III-V sont très étudiés depuis quelques années en raison de leur fort potentiel d’applications aussi bien en photonique intégrée, en (opto-)électronique que dans le domaine du photovoltaïque. La possibilité de les épitaxier sur différents types de substrat a motivé l’implication de l’INL dans ce domaine de recherche, dans l’objectif général de l’intégration de fonctions photoniques et optoélectroniques à la filière silicium.

Dans ce séminaire, nous nous intéresserons aux propriétés optiques de nanofils à hétérostructures InAs/InP qui présentent l’avantage d’émettre aux longueurs d’onde télécom. Les études de photoluminescence résolue en polarisation montrent que l’émission de ces nanofils est très fortement anisotrope et que ce phénomène est principalement lié à la géométrie du fil. Les mesures réalisées à basse température indiquent la présence d’un champ d’origine piézoélectrique dans la nanostructure. Enfin, la bonne stabilité de la photoluminescence avec la température et la grande durée de vie confirment l’intérêt de cette filière pour l’intégration de matériaux semiconducteurs III-V sur silicium.

série: 
RQMP
invité par: :